Ricerca sullo stress del silicio Il primato della LFoundry
AVEZZANO. LFoundry e Università “La Sapienza” riescono ad analizzare da vicino lo stress del silicio nell’industria dei semiconduttori. Grazie a due anni di ricerca e alla sinergia del laboratorio...
AVEZZANO. LFoundry e Università “La Sapienza” riescono ad analizzare da vicino lo stress del silicio nell’industria dei semiconduttori. Grazie a due anni di ricerca e alla sinergia del laboratorio del Polo Ict-Abruzzo (detto Open-Lab) tra LFoundry e il centro di ricerca per le nanotecnologie applicate all’ingegneria-Cnis della Sapienza di Roma è stato raggiunto un importante risultato relativo all’utilizzo della spettroscopia Raman “tip enhanced” nel mondo dei semiconduttori. «Si tratta di un tecnica di analisi a livello nanometrico dove uno spettroscopio Raman è accoppiato a un microscopio a forza atomica», ha commentato Onofrio Antonino Cacioppo, manager di LFoundry e coordinatore dell’attività, «la tecnica finora era stata utilizzata solamente su superfici bidimensionali e in contesti completamente diversi da quelli dell’industria dei semiconduttori. Nel nostro laboratorio è stata messa a punto per l’analisi di nano strutture 3D di prodotti LFoundry. La tecnica consente di mappare il livello di deformazione degli atomi del silicio in aree di poche decine di nanometri di diametro».
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